MURT10020,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 阵列
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MURT10020
MURT10020 -
DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
MURT10020
仓库库存编号:
MURT10020GN-ND
描述:
DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Diode Array Standard 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MURT10020产品属性
产品规格
封装/外壳
三塔
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
底座安装
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
三塔
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
25μA @ 50V
反向恢复时间(trr)
75ns
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.3V @ 50A
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
200V
速度
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)
100A(DC)
二极管配置
-
关键词
产品资料
数据列表
MURT10005 thru 10020R
Three Tower Pkg Drawing
标准包装
25
其它名称
MURT10020GN
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封装/外壳 三塔
GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 三塔
二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 三塔
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 三塔
制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor
安装类型 底座安装
GeneSiC Semiconductor 安装类型 底座安装
二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 底座安装
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 底座安装
系列 -
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二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -
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包装 散装
GeneSiC Semiconductor 包装 散装
二极管 - 整流器 - 阵列 包装 散装
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 散装
零件状态 在售
GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售
二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 三塔
GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 三塔
二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 三塔
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 三塔
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 25μA @ 50V
GeneSiC Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 25μA @ 50V
二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 25μA @ 50V
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 25μA @ 50V
反向恢复时间(trr) 75ns
GeneSiC Semiconductor 反向恢复时间(trr) 75ns
二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间(trr) 75ns
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间(trr) 75ns
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.3V @ 50A
GeneSiC Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.3V @ 50A
二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.3V @ 50A
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.3V @ 50A
工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
GeneSiC Semiconductor 工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
二极管类型 标准
GeneSiC Semiconductor 二极管类型 标准
二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
GeneSiC Semiconductor 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
GeneSiC Semiconductor 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 100A(DC)
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