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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-227
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	480W
电流 - 集电极截止（最大值）	2mA
Current - Collector (Ic) (Max)	160A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，80A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	10.3nF @ 30V
关键词

产品资料

数据列表	GHIS080A120S-A1
标准包装	10
其它名称	1560-1061 1560-1061-5 1560-1061-ND

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Global Power Technologies Group 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 SOT-227  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227   输入 标准  Global Power Technologies Group 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Global Power Technologies Group 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 480W  Global Power Technologies Group Power - Max 480W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 480W  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 480W   电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  Global Power Technologies Group 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 2mA   Current - Collector (Ic) (Max) 160A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 160A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 160A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 160A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，80A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，80A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，80A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，80A   NTC 热敏电阻 无  Global Power Technologies Group NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 10.3nF @ 30V  Global Power Technologies Group 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 10.3nF @ 30V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 10.3nF @ 30V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 10.3nF @ 30V