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GP1M006A070F
GP1M006A070F -
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Global Power Technologies Group
Global Power Technologies Group
制造商产品编号:
GP1M006A070F
仓库库存编号:
GP1M006A070F-ND
描述:
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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GP1M006A070F产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Global Power Technologies Group
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220F
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.65 欧姆 @ 2.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
漏源电压(Vdss)
700V
关键词
产品资料
数据列表
GP1M006A070(F)H
标准包装
2,000
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制造商 Global Power Technologies Group
Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group
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安装类型 通孔
Global Power Technologies Group 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220F
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Global Power Technologies Group 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Global Power Technologies Group 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.65 欧姆 @ 2.5A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
Global Power Technologies Group 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1500pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 39W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 700V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 700V
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