GP1M020A050N,Global Power Technologies Group,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

GP1M020A050N - 

MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

  • 已过时的产品。
  • 当零件存货耗尽后，该零件将成为非库存货；此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
Global Power Technologies Group GP1M020A050N
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
GP1M020A050N
仓库库存编号：
1560-1191-5-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 20A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

GP1M020A050N产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3，SC-65-3  
  制造商  Global Power Technologies Group  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-3PN  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  54nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  300 毫欧 @ 10A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  20A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3094pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  312W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 GP1M020A050N
标准包装 1
其它名称 1560-1191-1
1560-1191-1-ND

GP1M020A050N相关搜索

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Global Power Technologies Group 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Global Power Technologies Group 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Global Power Technologies Group 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 TO-3PN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN   技术 MOSFET（金属氧化物）  Global Power Technologies Group 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Global Power Technologies Group Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  Global Power Technologies Group 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 54nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  Global Power Technologies Group 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Global Power Technologies Group 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Global Power Technologies Group FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Global Power Technologies Group 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3094pF @ 25V  Global Power Technologies Group 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3094pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3094pF @ 25V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3094pF @ 25V   FET 功能 -  Global Power Technologies Group FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Global Power Technologies Group 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 312W（Tc）  Global Power Technologies Group 功率耗散（最大值） 312W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 312W（Tc）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 312W（Tc）   漏源电压（Vdss） 500V  Global Power Technologies Group 漏源电压（Vdss） 500V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号