关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3PN
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	44nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	300 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	20A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2880pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	312W（Tc）
漏源电压（Vdss）	500V
关键词

产品资料

数据列表	GP2M020A050N
标准包装	1,800

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Global Power Technologies Group 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Global Power Technologies Group 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Global Power Technologies Group 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 TO-3PN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN   技术 MOSFET（金属氧化物）  Global Power Technologies Group 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Global Power Technologies Group Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V  Global Power Technologies Group 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 44nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  Global Power Technologies Group 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Global Power Technologies Group 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Global Power Technologies Group FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Global Power Technologies Group 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 25V  Global Power Technologies Group 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 25V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2880pF @ 25V   FET 功能 -  Global Power Technologies Group FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  Global Power Technologies Group 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 312W（Tc）  Global Power Technologies Group 功率耗散（最大值） 312W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 312W（Tc）  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 312W（Tc）   漏源电压（Vdss） 500V  Global Power Technologies Group 漏源电压（Vdss） 500V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V  Global Power Technologies Group 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 500V