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产品规格

封装/外壳	TO-3
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3PN
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	425ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	223W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	600V，20A，10 欧姆，15V
开关能量	2.8mJ（开），480μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	60A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，20A
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/150ns
栅极电荷	210nC
关键词

产品资料

数据列表	GPA020A120MN-FD
标准包装	1
其它名称	1560-1216-1 1560-1216-1-ND

封装/外壳 TO-3  Global Power Technologies Group 封装/外壳 TO-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Global Power Technologies Group 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 TO-3PN  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3PN   输入类型 标准  Global Power Technologies Group 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 425ns  Global Power Technologies Group 反向恢复时间（trr） 425ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 425ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 425ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 223W  Global Power Technologies Group Power - Max 223W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 223W  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 223W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 2.8mJ（开），480μJ（关）  Global Power Technologies Group 开关能量 2.8mJ（开），480μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.8mJ（开），480μJ（关）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.8mJ（开），480μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Global Power Technologies Group Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 30ns/150ns  Global Power Technologies Group 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/150ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/150ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/150ns   栅极电荷 210nC  Global Power Technologies Group 栅极电荷 210nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 210nC  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 210nC