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产品规格

封装/外壳	D-3 模块
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C
系列	Amp+?
零件状态	在售
供应商器件封装	D3
输入	标准
配置	2 个独立式
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	1630W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	400A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.9V @ 15V，200A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	26nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	GSID200A170S3B1 Preliminary
标准包装	4

封装/外壳 D-3 模块  Global Power Technologies Group 封装/外壳 D-3 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 D-3 模块  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 D-3 模块   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C  Global Power Technologies Group 工作温度 -40°C ~ 150°C  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C   系列 Amp+?  Global Power Technologies Group 系列 Amp+?  晶体管 - IGBT - 模块 系列 Amp+?  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 系列 Amp+?   零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 D3  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 D3  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 D3  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 D3   输入 标准  Global Power Technologies Group 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 2 个独立式  Global Power Technologies Group 配置 2 个独立式  晶体管 - IGBT - 模块 配置 2 个独立式  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 配置 2 个独立式   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 1630W  Global Power Technologies Group Power - Max 1630W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1630W  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 1630W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Global Power Technologies Group 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 400A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 400A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 400A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 400A   IGBT 类型 -  Global Power Technologies Group IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 15V，200A   NTC 热敏电阻 无  Global Power Technologies Group NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 26nF @ 25V  Global Power Technologies Group 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 26nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 26nF @ 25V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 26nF @ 25V