GSID600A120S4B1,Global Power Technologies Group,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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GSID600A120S4B1 - 

SILICON IGBT MODULES

  • 非库存货
Global Power Technologies Group GSID600A120S4B1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
GSID600A120S4B1
仓库库存编号:
GSID600A120S4B1-ND
描述:
SILICON IGBT MODULES
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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GSID600A120S4B1产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Global Power Technologies Group  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C  
  系列  Amp+?  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模块  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  3060W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1mA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1130A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.1V @ 15V,600A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  51nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 GSID600A120S4B1 Preliminary
标准包装 2

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