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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C
系列	Amp+?
零件状态	在售
供应商器件封装	模块
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	3060W
电流 - 集电极截止（最大值）	1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	1130A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，600A
NTC 热敏电阻	是
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	51nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	GSID600A120S4B1 Preliminary
标准包装	2

封装/外壳 模块  Global Power Technologies Group 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C  Global Power Technologies Group 工作温度 -40°C ~ 150°C  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C   系列 Amp+?  Global Power Technologies Group 系列 Amp+?  晶体管 - IGBT - 模块 系列 Amp+?  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 系列 Amp+?   零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 模块  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 模块  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块   输入 标准  Global Power Technologies Group 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Global Power Technologies Group 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 3060W  Global Power Technologies Group Power - Max 3060W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 3060W  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 3060W   电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Global Power Technologies Group 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 1130A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 1130A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 1130A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 1130A   IGBT 类型 -  Global Power Technologies Group IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，600A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，600A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，600A  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，600A   NTC 热敏电阻 是  Global Power Technologies Group NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 51nF @ 25V  Global Power Technologies Group 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 51nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 51nF @ 25V  Global Power Technologies Group 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 51nF @ 25V