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HTNFET-D - 

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

  • 非库存货
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors HTNFET-D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HTNFET-D
仓库库存编号:
342-1078-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 50W(Tj) 8-CDIP-EP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HTNFET-D产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-CDIP 裸露焊盘  
  制造商  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 225°C(TJ)  
  系列  HTMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-CDIP-EP  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  4.3nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  400 毫欧 @ 100mA,5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  290pF @ 28V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.4V @ 100μA  
  功率耗散(最大值)  50W(Tj)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 HTNFET Datasheet
标准包装 1
其它名称 342-1078

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