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产品规格

封装/外壳	8-CDIP 裸露焊盘
制造商	Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 225°C（TJ）
系列	HTMOS??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	8-CDIP-EP
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	4.3nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	400 毫欧 @ 100mA，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	290pF @ 28V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 100μA
功率耗散（最大值）	50W（Tj）
漏源电压（Vdss）	55V
关键词

产品资料

数据列表	HTNFET Datasheet
标准包装	1
其它名称	342-1078

封装/外壳 8-CDIP 裸露焊盘  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 封装/外壳 8-CDIP 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-CDIP 裸露焊盘  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-CDIP 裸露焊盘   制造商 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 制造商 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Honeywell Microelectronics & Precision Sensors   安装类型 通孔  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）   系列 HTMOS??  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 系列 HTMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HTMOS??  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HTMOS??   包装 管件   Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-CDIP-EP  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 供应商器件封装 8-CDIP-EP  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-CDIP-EP  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-CDIP-EP   技术 MOSFET（金属氧化物）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） 10V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors Vgs（最大值） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 10V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） 10V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4.3nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 100mA，5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 100mA，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 100mA，5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 400 毫欧 @ 100mA，5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V   FET 类型 N 沟道  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 28V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 28V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 28V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 290pF @ 28V   FET 功能 -  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 100μA   功率耗散（最大值） 50W（Tj）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 功率耗散（最大值） 50W（Tj）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 50W（Tj）  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 50W（Tj）   漏源电压（Vdss） 55V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Honeywell Microelectronics & Precision Sensors 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V