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产品规格

封装/外壳	208-LFBGA
制造商	IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
电压 - 电源	2.4 V ~ 2.6 V
供应商器件封装	208-CABGA（15x15）
存储容量	4.5Mb （256K x 18）
技术	SRAM - 双端口，同步
时钟频率	133MHz
存储器类型	易失
访问时间	4.2ns
写周期时间 - 字，页	-
存储器格式	SRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

数据列表	IDT70T3339/19/99S
PCN 组件/产地	Additional Assembly Sources 22/Oct/2013
标准包装	1,000
其它名称	IDT70T3319S133BFGI8 IDT70T3319S133BFGI8-ND

封装/外壳 208-LFBGA  IDT, Integrated Device Technology Inc 封装/外壳 208-LFBGA  存储器 封装/外壳 208-LFBGA  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 封装/外壳 208-LFBGA   制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  IDT, Integrated Device Technology Inc 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc   安装类型 表面贴装  IDT, Integrated Device Technology Inc 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  IDT, Integrated Device Technology Inc 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）   系列 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 -  存储器 系列 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 系列 -   包装 带卷（TR）   IDT, Integrated Device Technology Inc 包装 带卷（TR）   存储器 包装 带卷（TR）   IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  IDT, Integrated Device Technology Inc 零件状态 在售  存储器 零件状态 在售  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 零件状态 在售   电压 - 电源 2.4 V ~ 2.6 V  IDT, Integrated Device Technology Inc 电压 - 电源 2.4 V ~ 2.6 V  存储器 电压 - 电源 2.4 V ~ 2.6 V  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 电压 - 电源 2.4 V ~ 2.6 V   供应商器件封装 208-CABGA（15x15）  IDT, Integrated Device Technology Inc 供应商器件封装 208-CABGA（15x15）  存储器 供应商器件封装 208-CABGA（15x15）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 供应商器件封装 208-CABGA（15x15）   存储容量 4.5Mb （256K x 18）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储容量 4.5Mb （256K x 18）  存储器 存储容量 4.5Mb （256K x 18）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储容量 4.5Mb （256K x 18）   技术 SRAM - 双端口，同步  IDT, Integrated Device Technology Inc 技术 SRAM - 双端口，同步  存储器 技术 SRAM - 双端口，同步  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 技术 SRAM - 双端口，同步   时钟频率 133MHz  IDT, Integrated Device Technology Inc 时钟频率 133MHz  存储器 时钟频率 133MHz  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 时钟频率 133MHz   存储器类型 易失  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器类型 易失   访问时间 4.2ns  IDT, Integrated Device Technology Inc 访问时间 4.2ns  存储器 访问时间 4.2ns  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 访问时间 4.2ns   写周期时间 - 字，页 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 写周期时间 - 字，页 -  存储器 写周期时间 - 字，页 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 写周期时间 - 字，页 -   存储器格式 SRAM  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器格式 SRAM  存储器 存储器格式 SRAM  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器格式 SRAM   存储器接口 并联  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器接口 并联