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71016S15YG
71016S15YG -
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商产品编号:
71016S15YG
仓库库存编号:
800-1406-5-ND
描述:
IC SRAM 1MBIT 15NS 44SOJ
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (64K x 16) 并联 15ns 44-SOJ
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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71016S15YG产品属性
产品规格
封装/外壳
44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型
表面贴装
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
电压 - 电源
4.5 V ~ 5.5 V
供应商器件封装
44-SOJ
存储容量
1Mb (64K x 16)
技术
SRAM - 异步
存储器类型
易失
访问时间
15ns
写周期时间 - 字,页
15ns
存储器格式
SRAM
存储器接口
并联
关键词
产品资料
数据列表
IDT71016S,NS
标准包装
16
其它名称
800-1406
800-1406-5
800-1406-ND
IDT71016S15YG
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封装/外壳 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
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存储器 封装/外壳 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 封装/外壳 44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型 表面贴装
IDT, Integrated Device Technology Inc 安装类型 表面贴装
存储器 安装类型 表面贴装
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 安装类型 表面贴装
工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
IDT, Integrated Device Technology Inc 工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
存储器 工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 工作温度 0°C ~ 70°C(TA)
系列 -
IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 -
存储器 系列 -
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包装 管件
IDT, Integrated Device Technology Inc 包装 管件
存储器 包装 管件
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零件状态 在售
IDT, Integrated Device Technology Inc 零件状态 在售
存储器 零件状态 在售
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电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
IDT, Integrated Device Technology Inc 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
存储器 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
供应商器件封装 44-SOJ
IDT, Integrated Device Technology Inc 供应商器件封装 44-SOJ
存储器 供应商器件封装 44-SOJ
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 供应商器件封装 44-SOJ
存储容量 1Mb (64K x 16)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储容量 1Mb (64K x 16)
存储器 存储容量 1Mb (64K x 16)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储容量 1Mb (64K x 16)
技术 SRAM - 异步
IDT, Integrated Device Technology Inc 技术 SRAM - 异步
存储器 技术 SRAM - 异步
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 技术 SRAM - 异步
存储器类型 易失
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器类型 易失
存储器 存储器类型 易失
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器类型 易失
访问时间 15ns
IDT, Integrated Device Technology Inc 访问时间 15ns
存储器 访问时间 15ns
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 访问时间 15ns
写周期时间 - 字,页 15ns
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存储器 写周期时间 - 字,页 15ns
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存储器格式 SRAM
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器格式 SRAM
存储器 存储器格式 SRAM
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存储器接口 并联
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器接口 并联
存储器 存储器接口 并联
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