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产品规格

封装/外壳	165-TBGA
制造商	IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型	表面贴装
工作温度	0°C ~ 70°C（TA）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.9 V
供应商器件封装	165-CABGA（13x15）
存储容量	18Mb （512K x 36）
技术	SRAM - 同步，DDR II
时钟频率	200MHz
存储器类型	易失
访问时间	7.88ns
写周期时间 - 字，页	-
存储器格式	SRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

标准包装	2,000
其它名称	71P71604S200BQ8

封装/外壳 165-TBGA  IDT, Integrated Device Technology Inc 封装/外壳 165-TBGA  存储器 封装/外壳 165-TBGA  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 封装/外壳 165-TBGA   制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  IDT, Integrated Device Technology Inc 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc   安装类型 表面贴装  IDT, Integrated Device Technology Inc 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  IDT, Integrated Device Technology Inc 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 工作温度 0°C ~ 70°C（TA）   系列 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 -  存储器 系列 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 系列 -   包装 带卷（TR）   IDT, Integrated Device Technology Inc 包装 带卷（TR）   存储器 包装 带卷（TR）   IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  IDT, Integrated Device Technology Inc 零件状态 过期  存储器 零件状态 过期  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 零件状态 过期   电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  IDT, Integrated Device Technology Inc 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V   供应商器件封装 165-CABGA（13x15）  IDT, Integrated Device Technology Inc 供应商器件封装 165-CABGA（13x15）  存储器 供应商器件封装 165-CABGA（13x15）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 供应商器件封装 165-CABGA（13x15）   存储容量 18Mb （512K x 36）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储容量 18Mb （512K x 36）  存储器 存储容量 18Mb （512K x 36）  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储容量 18Mb （512K x 36）   技术 SRAM - 同步，DDR II  IDT, Integrated Device Technology Inc 技术 SRAM - 同步，DDR II  存储器 技术 SRAM - 同步，DDR II  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 技术 SRAM - 同步，DDR II   时钟频率 200MHz  IDT, Integrated Device Technology Inc 时钟频率 200MHz  存储器 时钟频率 200MHz  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 时钟频率 200MHz   存储器类型 易失  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器类型 易失   访问时间 7.88ns  IDT, Integrated Device Technology Inc 访问时间 7.88ns  存储器 访问时间 7.88ns  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 访问时间 7.88ns   写周期时间 - 字，页 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 写周期时间 - 字，页 -  存储器 写周期时间 - 字，页 -  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 写周期时间 - 字，页 -   存储器格式 SRAM  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器格式 SRAM  存储器 存储器格式 SRAM  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器格式 SRAM   存储器接口 并联  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器接口 并联