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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型	底座安装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
零件状态	过期
供应商器件封装	模块
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	135W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.45V @ 15V，30A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	1.3nF @ 25V
Current - Collector Cutoff (Max)	500μA
关键词

产品资料

标准包装	10
其它名称	BSM30GD60DLCE3224BOSA1 SP000100388

封装/外壳 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas   安装类型 底座安装  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 供应商器件封装 模块  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块   输入 标准  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 135W  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Power - Max 135W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 135W  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 135W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V，30A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V，30A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V，30A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V，30A   NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.3nF @ 25V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.3nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.3nF @ 25V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 1.3nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 500μA  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Current - Collector Cutoff (Max) 500μA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 500μA  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 500μA