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BSM50GD120DN2G
BSM50GD120DN2G -
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
制造商产品编号:
BSM50GD120DN2G
仓库库存编号:
BSM50GD120DN2G-ND
描述:
IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Full Bridge 1200V 78A 400W Chassis Mount Module
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSM50GD120DN2G产品属性
产品规格
封装/外壳
模块
制造商
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型
底座安装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
零件状态
过期
供应商器件封装
模块
输入
标准
配置
全桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
400W
Current - Collector (Ic) (Max)
78A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.7V @ 15V,50A
NTC 热敏电阻
无
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
33nF @ 25V
关键词
产品资料
标准包装
10
其它名称
SP000100363
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封装/外壳 模块
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 封装/外壳 模块
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块
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制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型 底座安装
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 150°C(TJ)
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 系列 -
晶体管 - IGBT - 模块 系列 -
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零件状态 过期
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 零件状态 过期
晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
供应商器件封装 模块
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晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块
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输入 标准
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
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配置 全桥
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 配置 全桥
晶体管 - IGBT - 模块 配置 全桥
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 400W
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晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 400W
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Current - Collector (Ic) (Max) 78A
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晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 78A
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IGBT 类型 -
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas IGBT 类型 -
晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,50A
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,50A
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NTC 热敏电阻 无
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas NTC 热敏电阻 无
晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无
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不同?Vce 时的输入电容(Cies) 33nF @ 25V
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 33nF @ 25V
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 33nF @ 25V
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 33nF @ 25V
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