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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	模块
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Power - Max	6250W
电流 - 集电极截止（最大值）	5mA
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.45V @ 15V, 1000A
NTC 热敏电阻	是
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	81nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	DF1000R17IE4
标准包装	2
其它名称	SP000614736

封装/外壳 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas   安装类型 底座安装  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 工作温度 -40°C ~ 150°C  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C   系列 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 供应商器件封装 模块  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块   输入 标准  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V   Power - Max 6250W  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Power - Max 6250W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 6250W  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 6250W   电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 5mA   IGBT 类型 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas IGBT 类型 -  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V, 1000A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V, 1000A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V, 1000A  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.45V @ 15V, 1000A   NTC 热敏电阻 是  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 81nF @ 25V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 81nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 81nF @ 25V  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 81nF @ 25V