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FS450R12OE4
FS450R12OE4 -
IGBT MODULE 1200V 450A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
制造商产品编号:
FS450R12OE4
仓库库存编号:
FS450R12OE4-ND
描述:
IGBT MODULE 1200V 450A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 660A 2250W Chassis Mount Module
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FS450R12OE4产品属性
产品规格
封装/外壳
模块
制造商
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
模块
输入
标准
配置
三相反相器
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
2250W
电流 - 集电极截止(最大值)
3mA
Current - Collector (Ic) (Max)
660A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,450A
NTC 热敏电阻
是
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
28nF @ 25V
关键词
产品资料
数据列表
FS450R12OE4
标准包装
4
其它名称
SP000690922
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封装/外壳 模块
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 封装/外壳 模块
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块
制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
安装类型 底座安装
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
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晶体管 - IGBT - 模块 系列 -
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晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售
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供应商器件封装 模块
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 供应商器件封装 模块
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 模块
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输入 标准
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
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配置 三相反相器
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 配置 三相反相器
晶体管 - IGBT - 模块 配置 三相反相器
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 2250W
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas Power - Max 2250W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2250W
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电流 - 集电极截止(最大值) 3mA
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晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 3mA
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Current - Collector (Ic) (Max) 660A
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晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 660A
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IGBT 类型 沟槽型场截止
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晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,450A
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NTC 热敏电阻 是
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不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28nF @ 25V
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晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28nF @ 25V
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28nF @ 25V
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