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AUIRF3805S
AUIRF3805S -
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
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制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
AUIRF3805S
仓库库存编号:
AUIRF3805S-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AUIRF3805S产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
管件
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
290nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.3 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
160A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7960pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
AUIRF3805(S,L)
标准包装
50
其它名称
SP001518016
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF3805S-7PPBF
仓库库存编号:
IRF3805S-7PPBF-ND
别名:64-2095PBF
64-2095PBF-ND
IRF3805S7PPBF
SP001553992
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3805STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3805STRLPBFCT-ND
别名:IRF3805STRLPBFCT
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRF3805STRL-7PP
仓库库存编号:
IRF3805STRL-7PPCT-ND
别名:IRF3805STRL-7PPCT
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制造商 Infineon Technologies
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安装类型 表面贴装
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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