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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	25nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	45 毫欧 @ 5.8A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.8A，4.3A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	520pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	2.5W
关键词

产品资料

数据列表	AUIRF7379Q
标准包装	4,000
其它名称	SP001520160

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SO  Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SO  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 5.8A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 5.8A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 5.8A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 5.8A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A，4.3A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A，4.3A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A，4.3A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.8A，4.3A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 520pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 2.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W