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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	HEXFET?
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PQFN（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	33nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	10 毫欧 @ 26A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	43A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1060pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 25μA
漏源电压（Vdss）	40V
功率 - 最大值	34W（Tc）
关键词

产品资料

数据列表	AUIRFN8458
RoHS指令信息	PQFN 5x6 RoHS Compliance
标准包装	4,000
其它名称	SP001522712

封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 HEXFET?   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PQFN（5x6）  Infineon Technologies 供应商器件封装 PQFN（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PQFN（5x6）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PQFN（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 26A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 26A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 26A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 26A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 43A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1060pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1060pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1060pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1060pF @ 25V   FET 功能 标准  Infineon Technologies FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 25μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 25μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 25μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 25μA   漏源电压（Vdss） 40V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 40V   功率 - 最大值 34W（Tc）  Infineon Technologies 功率 - 最大值 34W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 34W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 34W（Tc）