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AUIRGP4066D1
AUIRGP4066D1 -
IGBT 600V 140A 454W TO-247AC
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
AUIRGP4066D1
仓库库存编号:
AUIRGP4066D1-ND
描述:
IGBT 600V 140A 454W TO-247AC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AUIRGP4066D1产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Infineon Technologies
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AC
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
240ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
454W
Current - Collector (Ic) (Max)
140A
测试条件
400V,75A,10 欧姆,15V
开关能量
4.24mJ(开),2.17mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
225A
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.1V @ 15V,75A
25°C 时 Td(开/关)值
50ns/200ns
栅极电荷
225nC
关键词
产品资料
数据列表
AUIRGP4066D1(-E)
设计资源
AUIRGP4066D1-E Saber Model
AUIRGP4066D1-E Spice Model
标准包装
50
其它名称
SP001511432
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4066D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4066D-EPBF-ND
别名:IRGP4066DEPBF
SP001548120
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4066DPBF
仓库库存编号:
IRGP4066DPBF-ND
别名:SP001545048
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 454W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4066PBF
仓库库存编号:
IRGP4066PBF-ND
别名:SP001537846
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 通孔
Infineon Technologies 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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包装 管件
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供应商器件封装 TO-247AC
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,75A
Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,75A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,75A
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.1V @ 15V,75A
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/200ns
Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 50ns/200ns
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栅极电荷 225nC
Infineon Technologies 栅极电荷 225nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 225nC
Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 225nC
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