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AUIRL3705ZSTRL
AUIRL3705ZSTRL -
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
AUIRL3705ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRL3705ZSTRLCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AUIRL3705ZSTRL产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
D2PAK
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
60nC @ 5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 毫欧 @ 52A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2880pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
漏源电压(Vdss)
55V
关键词
产品资料
数据列表
AUIRL3705Z(S,L)
标准包装
1
其它名称
AUIRL3705ZSTRLCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705ZPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZPBF-ND
别名:*IRL3705ZPBF
SP001557992
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRL3705ZSTRLPBFCT
无铅
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 HEXFET?
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 D2PAK
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Vgs(最大值) ±16V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V
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