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AUIRLS4030-7P - 

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

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Infineon Technologies AUIRLS4030-7P
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
AUIRLS4030-7P
仓库库存编号：
AUIRLS4030-7P-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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AUIRLS4030-7P产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，HEXFET?  
  包装  管件   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  D2PAK（7-Lead）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±16V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  140nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.9 毫欧 @ 110A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  190A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  11490pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  370W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 AUIRLS4030-7P
标准包装 50
其它名称 AUIRLS40307P
SP001522310

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