BAT6202LE6327XTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,二极管 - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BAT6202LE6327XTMA1 - 

DIODE SCHOTTKY 40V 20MA TSLP-2

  • Digi-Key已停止供应这个产品。
Infineon Technologies BAT6202LE6327XTMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BAT6202LE6327XTMA1
仓库库存编号:
BAT6202LE6327XTMA1TR-ND
描述:
DIODE SCHOTTKY 40V 20MA TSLP-2
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode Schottky - Single 40V 20mA 100mW PG-TSLP-2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BAT6202LE6327XTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOD-882  
  制造商  Infineon Technologies  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TSLP-2  
  功率耗散(最大值)  100mW  
  二极管类型  肖特基 - 单  
  不同?Vr,F 时的电容  0.6pF @ 0V,1MHz  
  电流 - 最大值  20mA  
  电压 - 峰值反向(最大值)  40V  
  不同?If,F 时的电阻  -  
关键词         

产品资料
数据列表 BAT62
标准包装 15,000
其它名称 BAT 62-02L E6327
BAT 62-02L E6327-ND
BAT6202LE6327XT
SP000016963

BAT6202LE6327XTMA1相关搜索

封装/外壳 SOD-882  Infineon Technologies 封装/外壳 SOD-882  二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-882  Infineon Technologies 二极管 - 射频 封装/外壳 SOD-882   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  二极管 - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 二极管 - 射频 制造商 Infineon Technologies   工作温度 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 150°C(TJ)  二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)  Infineon Technologies 二极管 - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  Infineon Technologies 二极管 - 射频 系列 -   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   二极管 - 射频 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 二极管 - 射频 包装 带卷(TR)    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  二极管 - 射频 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 二极管 - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-TSLP-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSLP-2  二极管 - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-2  Infineon Technologies 二极管 - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-2   功率耗散(最大值) 100mW  Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 100mW  二极管 - 射频 功率耗散(最大值) 100mW  Infineon Technologies 二极管 - 射频 功率耗散(最大值) 100mW   二极管类型 肖特基 - 单  Infineon Technologies 二极管类型 肖特基 - 单  二极管 - 射频 二极管类型 肖特基 - 单  Infineon Technologies 二极管 - 射频 二极管类型 肖特基 - 单   不同?Vr,F 时的电容 0.6pF @ 0V,1MHz  Infineon Technologies 不同?Vr,F 时的电容 0.6pF @ 0V,1MHz  二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 0.6pF @ 0V,1MHz  Infineon Technologies 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 0.6pF @ 0V,1MHz   电流 - 最大值 20mA  Infineon Technologies 电流 - 最大值 20mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 20mA  Infineon Technologies 二极管 - 射频 电流 - 最大值 20mA   电压 - 峰值反向(最大值) 40V  Infineon Technologies 电压 - 峰值反向(最大值) 40V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 40V  Infineon Technologies 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向(最大值) 40V   不同?If,F 时的电阻 -  Infineon Technologies 不同?If,F 时的电阻 -  二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 -  Infineon Technologies 二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号