BAT6302VH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,二极管 - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BAT6302VH6327XTSA1 - 

DIODE SCHOTTKY 3V 100MA SC79

Infineon Technologies BAT6302VH6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BAT6302VH6327XTSA1
仓库库存编号：
BAT6302VH6327XTSA1CT-ND
描述：
DIODE SCHOTTKY 3V 100MA SC79
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Diode Schottky - Single 3V 100mW PG-SC79-2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BAT6302VH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-79，SOD-523  
  制造商  Infineon Technologies  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-SC79-2  
  功率耗散（最大值）  100mW  
  二极管类型  肖特基 - 单  
  不同?Vr，F 时的电容  0.85pF @ 0.2V，1MHz  
  电流 - 最大值  100mA  
  电压 - 峰值反向（最大值）  3V  
  不同?If，F 时的电阻  -  
关键词         

产品资料
数据列表 BAT63
标准包装 1
其它名称 BAT6302VH6327XTSA1CT

BAT6302VH6327XTSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BAT6302VH6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 SC-79，SOD-523  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-79，SOD-523  二极管 - 射频 封装/外壳 SC-79，SOD-523  Infineon Technologies 二极管 - 射频 封装/外壳 SC-79，SOD-523   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  二极管 - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 二极管 - 射频 制造商 Infineon Technologies   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 二极管 - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  二极管 - 射频 系列 -  Infineon Technologies 二极管 - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   二极管 - 射频 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 二极管 - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  二极管 - 射频 零件状态 在售  Infineon Technologies 二极管 - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-SC79-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SC79-2  二极管 - 射频 供应商器件封装 PG-SC79-2  Infineon Technologies 二极管 - 射频 供应商器件封装 PG-SC79-2   功率耗散（最大值） 100mW  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 100mW  二极管 - 射频 功率耗散（最大值） 100mW  Infineon Technologies 二极管 - 射频 功率耗散（最大值） 100mW   二极管类型 肖特基 - 单  Infineon Technologies 二极管类型 肖特基 - 单  二极管 - 射频 二极管类型 肖特基 - 单  Infineon Technologies 二极管 - 射频 二极管类型 肖特基 - 单   不同?Vr，F 时的电容 0.85pF @ 0.2V，1MHz  Infineon Technologies 不同?Vr，F 时的电容 0.85pF @ 0.2V，1MHz  二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.85pF @ 0.2V，1MHz  Infineon Technologies 二极管 - 射频 不同?Vr，F 时的电容 0.85pF @ 0.2V，1MHz   电流 - 最大值 100mA  Infineon Technologies 电流 - 最大值 100mA  二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA  Infineon Technologies 二极管 - 射频 电流 - 最大值 100mA   电压 - 峰值反向（最大值） 3V  Infineon Technologies 电压 - 峰值反向（最大值） 3V  二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 3V  Infineon Technologies 二极管 - 射频 电压 - 峰值反向（最大值） 3V   不同?If，F 时的电阻 -  Infineon Technologies 不同?If，F 时的电阻 -  二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 -  Infineon Technologies 二极管 - 射频 不同?If，F 时的电阻 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号