BB 659C-02V H7902,Infineon Technologies,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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BB 659C-02V H7902
BB 659C-02V H7902 -
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
BB 659C-02V H7902
仓库库存编号:
BB 659C-02V H7902CT-ND
描述:
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 30V Surface Mount PG-SC79-2
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BB 659C-02V H7902产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-79,SOD-523
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
PG-SC79-2
二极管类型
单一
不同?Vr,F 时的电容
2.75pF @ 28V,1MHz
电容比
15.3
电容比条件
C1/C28
不同 Vr,F 时的 Q 值
-
Voltage - Peak Reverse (Max)
30V
关键词
产品资料
数据列表
BB639C/BB659C
标准包装
1
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BB 659C-02V H7902CT
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封装/外壳 SC-79,SOD-523
Infineon Technologies 封装/外壳 SC-79,SOD-523
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-79,SOD-523
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-79,SOD-523
制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Infineon Technologies 系列 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
供应商器件封装 PG-SC79-2
Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SC79-2
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 PG-SC79-2
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 PG-SC79-2
二极管类型 单一
Infineon Technologies 二极管类型 单一
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
不同?Vr,F 时的电容 2.75pF @ 28V,1MHz
Infineon Technologies 不同?Vr,F 时的电容 2.75pF @ 28V,1MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 2.75pF @ 28V,1MHz
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 2.75pF @ 28V,1MHz
电容比 15.3
Infineon Technologies 电容比 15.3
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 15.3
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 15.3
电容比条件 C1/C28
Infineon Technologies 电容比条件 C1/C28
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C28
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C28
不同 Vr,F 时的 Q 值 -
Infineon Technologies 不同 Vr,F 时的 Q 值 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -
Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -
Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
Infineon Technologies Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 30V
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