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产品规格

封装/外壳	SOD-882
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 125°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-TSLP-2
二极管类型	单一
不同?Vr，F 时的电容	3.1pF @ 3V，1MHz
电容比	2.6
电容比条件	C1/C3
不同 Vr，F 时的 Q 值	-
Voltage - Peak Reverse (Max)	6V
关键词

产品资料

标准包装	15,000
其它名称	BBY 53-02L E6327 BBY 53-02L E6327-ND BBY5302LE6327XT SP000014592

封装/外壳 SOD-882  Infineon Technologies 封装/外壳 SOD-882  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SOD-882  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SOD-882   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 125°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 125°C（TJ）  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -55°C ~ 125°C（TJ）  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -55°C ~ 125°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-TSLP-2  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSLP-2  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 PG-TSLP-2  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 PG-TSLP-2   二极管类型 单一  Infineon Technologies 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一   不同?Vr，F 时的电容 3.1pF @ 3V，1MHz  Infineon Technologies 不同?Vr，F 时的电容 3.1pF @ 3V，1MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 3.1pF @ 3V，1MHz  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 3.1pF @ 3V，1MHz   电容比 2.6  Infineon Technologies 电容比 2.6  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 2.6  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 2.6   电容比条件 C1/C3  Infineon Technologies 电容比条件 C1/C3  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C3  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C3   不同 Vr，F 时的 Q 值 -  Infineon Technologies 不同 Vr，F 时的 Q 值 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 -  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 -   Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  Infineon Technologies Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） Voltage - Peak Reverse (Max) 6V