BBY5305WE6327HTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BBY5305WE6327HTSA1 - 

DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BBY5305WE6327HTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BBY5305WE6327HTSA1
仓库库存编号:
BBY5305WE6327HTSA1TR-ND
描述:
DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor 1 Pair Common Cathode 6V Surface Mount PG-SOT323-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BBY5305WE6327HTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-SOT323-3  
  二极管类型  1 对共阴极  
  不同?Vr,F 时的电容  3.1pF @ 3V,1MHz  
  电容比  2.6  
  电容比条件  C1/C3  
  不同 Vr,F 时的 Q 值  -  
  Voltage - Peak Reverse (Max)  6V  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 01/Mar/2011
标准包装 3,000
其它名称 BBY 53-05W E6327
BBY 53-05W E6327-ND
BBY5305WE6327
BBY5305WE6327XT
SP000012248

BBY5305WE6327HTSA1相关搜索

封装/外壳 SC-70,SOT-323  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-70,SOT-323  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-70,SOT-323  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-70,SOT-323   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 125°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT323-3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 PG-SOT323-3   二极管类型 1 对共阴极  Infineon Technologies 二极管类型 1 对共阴极  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 1 对共阴极  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 1 对共阴极   不同?Vr,F 时的电容 3.1pF @ 3V,1MHz  Infineon Technologies 不同?Vr,F 时的电容 3.1pF @ 3V,1MHz  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 3.1pF @ 3V,1MHz  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 3.1pF @ 3V,1MHz   电容比 2.6  Infineon Technologies 电容比 2.6  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 2.6  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 2.6   电容比条件 C1/C3  Infineon Technologies 电容比条件 C1/C3  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C3  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C1/C3   不同 Vr,F 时的 Q 值 -  Infineon Technologies 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -   Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  Infineon Technologies Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  Infineon Technologies 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 6V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号