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产品规格

封装/外壳	6-VSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT363-6
晶体管类型	2 PNP（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 2mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	15nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	650mV @ 5mA，100mA
频率 - 跃迁	250MHz
功率 - 最大值	250mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	65V
关键词

产品资料

数据列表	BCM856S
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 01/Mar/2011
标准包装	3,000
其它名称	BCM 856S E6327 BCM 856S E6327-ND BCM856SE6327XT SP000014127

封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT363-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 PG-SOT363-6   晶体管类型 2 PNP（双）  Infineon Technologies 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 2mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 15nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA   频率 - 跃迁 250MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz   功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V