BCR08PNB6327XT,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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BCR08PNB6327XT - 

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

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Infineon Technologies BCR08PNB6327XT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BCR08PNB6327XT
仓库库存编号:
BCR08PNB6327XTTR-ND
描述:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BCR08PNB6327XT产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  晶体管类型  1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  70 @ 5mA,5V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  -  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  170MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  47k  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  100mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 BCR08PN
标准包装 30,000
其它名称 BCR 08PN B6327
BCR 08PN B6327-ND
SP000010726

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