BCR135E6359HTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
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BCR135E6359HTMA1 - 

TRANS PREBIAS PNP SOT23

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Infineon Technologies BCR135E6359HTMA1
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制造商产品编号：
BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：
BCR135E6359HTMA1-ND
描述：
TRANS PREBIAS PNP SOT23
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BCR135E6359HTMA1
库存编号:BCR135E6359HTMA1-ND		 Infineon Technologies AG TRANS PREBIAS NPN 50V SOT230
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BCR135E6359HTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  PG-SOT23-3  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  70 @ 5mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA  
  频率 - 跃迁  150MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  47k  
关键词         

产品资料
数据列表 BCR135 Series
标准包装 3,000
其它名称 SP000010766

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TRANS PREBIAS PNP SOT23
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3

型号：BCR135E6359HTMA1
仓库库存编号：BCR135E6359HTMA1-ND
别名：SP000010766 <br>

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