BCR185SH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BCR185SH6327XTSA1 - 

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
  • 零件状态：过时；购买截止日期：12-31-2019。可能有最低购买数量。
Infineon Technologies BCR185SH6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BCR185SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BCR185SH6327XTSA1CT-ND
描述：
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BCR185SH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  晶体管类型  2 个 PNP 预偏压式（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  70 @ 5mA，5V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  -  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  47k  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 BCR185
标准包装 1
其它名称 BCR 185S H6327CT
BCR 185S H6327CT-ND
BCR185SH6327XTSA1CT

BCR185SH6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 零件状态 上次购买时间  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 上次购买时间  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 上次购买时间   供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT363-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 PG-SOT363-6   晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Infineon Technologies 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 个 PNP 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 5mA，5V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 5mA，5V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 5mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Infineon Technologies 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Infineon Technologies 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k   功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 250mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号