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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT223-4
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	85 @ 500mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	5W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

数据列表	BDP954
标准包装	1,000
其它名称	BDP 954 E6327 BDP 954 E6327-ND BDP954E6327BTSA1 BDP954E6327XT SP000010941

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 PG-SOT223-4   晶体管类型 PNP  Infineon Technologies 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 85 @ 500mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 5W  Infineon Technologies Power - Max 5W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 5W  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 5W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Infineon Technologies 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 100MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz