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产品规格

封装/外壳	SC-70，SOT-323
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT323-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	40 @ 20mA，10V
频率 - 跃迁	800MHz
功率 - 最大值	280mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	35mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	20V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	3dB @ 100MHz
关键词

产品资料

数据列表	BF799W
标准包装	3,000
其它名称	BF 799W H6327 BF 799W H6327-ND SP000734406

封装/外壳 SC-70，SOT-323  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-70，SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70，SOT-323  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-70，SOT-323   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT323-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT323-3   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 20mA，10V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 20mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 20mA，10V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 20mA，10V   频率 - 跃迁 800MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 800MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 800MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 800MHz   功率 - 最大值 280mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 280mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 280mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 280mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V   增益 -  Infineon Technologies 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3dB @ 100MHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3dB @ 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3dB @ 100MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3dB @ 100MHz