关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT223-4
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 70mA，8V
频率 - 跃迁	5.5GHz
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	210mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	14dB ~ 8.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
关键词

产品资料

PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 18/Jun/2009
标准包装	3,000
其它名称	BFG19SE6327T BFG19SE6327XT SP000010992

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT223-4   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 70mA，8V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 70mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 70mA，8V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 70mA，8V   频率 - 跃迁 5.5GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 5.5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5.5GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 5.5GHz   功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 210mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 210mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 210mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 210mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 14dB ~ 8.5dB  Infineon Technologies 增益 14dB ~ 8.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 14dB ~ 8.5dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 14dB ~ 8.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz