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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	PG-SOT223-4
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 100mA，8V
频率 - 跃迁	6GHz
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	15V
增益	9dB ~ 14dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
关键词

产品资料

PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 25/Jun/2008
标准包装	2,000
其它名称	BFG 135A E6327 BFG135AE6327 BFG135AE6327-ND BFG135AE6327T BFG135AE6327T-ND Q2351394 SP000010991

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Infineon Technologies 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT223-4  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT223-4  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT223-4   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 100mA，8V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 100mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 100mA，8V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 100mA，8V   频率 - 跃迁 6GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 6GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 6GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 6GHz   功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 9dB ~ 14dB  Infineon Technologies 增益 9dB ~ 14dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB ~ 14dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 9dB ~ 14dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz