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产品规格

封装/外壳	SC-82A，SOT-343
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-SOT343-4
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	70 @ 30mA，8V
频率 - 跃迁	8GHz
功率 - 最大值	580mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	13.5dB ~ 20.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
关键词

产品资料

数据列表	BFP193W
PCN 过时产品/ EOL	Multiple Devices 01/Mar/2011
标准包装	1
其它名称	BFP193WE6327 BFP193WE6327INCT BFP193WE6327INCT-ND

封装/外壳 SC-82A，SOT-343  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT343-4  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT343-4  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT343-4  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-SOT343-4   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 30mA，8V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 30mA，8V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 30mA，8V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 70 @ 30mA，8V   频率 - 跃迁 8GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 8GHz   功率 - 最大值 580mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 580mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 580mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 580mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 13.5dB ~ 20.5dB  Infineon Technologies 增益 13.5dB ~ 20.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13.5dB ~ 20.5dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 13.5dB ~ 20.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz