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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	SC-101，SOT-883
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	PG-TSLP-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	90 @ 5mA，3V
频率 - 跃迁	14GHz
功率 - 最大值	60mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	9V
增益	17.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1.15dB @ 1.8GHz
关键词

产品资料

数据列表	BFR340L3
标准包装	1
其它名称	BFR 340L3 E6327CT BFR 340L3 E6327CT-ND

封装/外壳 SC-101，SOT-883  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-101，SOT-883  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-101，SOT-883  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-101，SOT-883   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-TSLP-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSLP-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-3  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-3   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，3V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，3V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 90 @ 5mA，3V   频率 - 跃迁 14GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 14GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 14GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 14GHz   功率 - 最大值 60mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 60mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 60mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 60mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 9V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 9V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 9V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 9V   增益 17.5dB  Infineon Technologies 增益 17.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 17.5dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 17.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.15dB @ 1.8GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.15dB @ 1.8GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.15dB @ 1.8GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1.15dB @ 1.8GHz