BFR840L3RHESDE6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 - 

TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3

Infineon Technologies BFR840L3RHESDE6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
仓库库存编号：
BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT-ND
描述：
TRANS RF BIPO NPN 35MA TSLP-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount TSLP-3-9
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BFR840L3RHESDE6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-101，SOT-883  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TSLP-3-9  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  150 @ 10mA，1.8V  
  频率 - 跃迁  75GHz  
  功率 - 最大值  75mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  35mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  2.6V  
  增益  27dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.5dB @ 450MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFR840L3RHESD
标准包装 1
其它名称 BFR840L3RHESDE6327XTSA1CT

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