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产品规格

封装/外壳	6-XFDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	PG-TSLP-6
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V
频率 - 跃迁	14GHz
功率 - 最大值	210mW，380mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	35mA，80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	6V
增益	10dB ~ 14.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
关键词

产品资料

标准包装	15,000
其它名称	BFS386L6E6327XT SP000013975

封装/外壳 6-XFDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 6-XFDFN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 6-XFDFN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 6-XFDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 PG-TSLP-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSLP-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-6  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 PG-TSLP-6   晶体管类型 2 NPN（双）  Infineon Technologies 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 2 NPN（双）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 60 @ 15mA，3V / 60 @ 40mA，3V   频率 - 跃迁 14GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 14GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 14GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 14GHz   功率 - 最大值 210mW，380mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 210mW，380mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 210mW，380mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 210mW，380mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA，80mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA，80mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA，80mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 35mA，80mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V   增益 10dB ~ 14.5dB  Infineon Technologies 增益 10dB ~ 14.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 14.5dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 14.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz