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BSC009NE2LS - 

MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Infineon Technologies BSC009NE2LS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSC009NE2LS
仓库库存编号:
BSC009NE2LSCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSC009NE2LS产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TDSON-8  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  126nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  0.9 毫欧 @ 30A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  41A(Ta),100A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  5800pF @ 12V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta),96W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  25V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSC009NE2LS
标准包装 1
其它名称 BSC009NE2LSCT

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