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BSC082N10LSGATMA1 - 

MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。

BSC082N10LSGATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  PG-TDSON-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  104nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  8.2 毫欧 @ 100A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  13.8A（Ta），100A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7400pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.4V @ 110μA  
  功率耗散（最大值）  156W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSC082N10LS G
标准包装 1
其它名称 BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND

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