关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	OptiMOS??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TISON-8
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	12nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.2 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	18A，30A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1600pF @ 12V
FET 功能	逻辑电平栅极，4.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	25V
功率 - 最大值	1W
关键词

产品资料

数据列表	BSC0911ND
标准包装	1
其它名称	BSC0911NDATMA1CT

封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TISON-8  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TISON-8  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TISON-8  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TISON-8   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.2 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Infineon Technologies FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A，30A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A，30A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A，30A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A，30A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 12V   FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V   功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1W