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产品规格

封装/外壳	6-VSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	OptiMOS??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-SOT363-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	0.32nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	350 毫欧 @ 950mA，4.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	950mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	63pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 1.6μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	500mW
关键词

产品资料

数据列表	BSD235N
标准包装	1
其它名称	BSD235N H6327CT BSD235N H6327CT-ND BSD235NH6327

封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-VSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT363-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-SOT363-6  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-SOT363-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.32nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.32nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.32nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.32nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 950mA，4.5V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 950mA，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 950mA，4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 950mA，4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 950mA  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 950mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 950mA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 950mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 63pF @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 63pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 63pF @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 63pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 1.6μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 1.6μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 1.6μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 1.6μA   漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 500mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW