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BSG0811NDATMA1 - 

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON

Infineon Technologies BSG0811NDATMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSG0811NDATMA1
仓库库存编号：
BSG0811NDATMA1CT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSG0811NDATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TISON-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  8.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3 毫欧 @ 20A，10V  
  FET 类型  2 N 沟道（双）非对称型  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  19A， 41A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1100pF @ 12V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，4.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  25V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 BSG0811ND
标准包装 1
其它名称 BSG0811NDATMA1CT

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