BSG0813NDIATMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BSG0813NDIATMA1 - 

MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON

  • 非库存货
Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSG0813NDIATMA1
仓库库存编号:
BSG0813NDIATMA1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSG0813NDIATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 155°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TISON-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  8.4nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3 毫欧 @ 20A,10V  
  FET 类型  2 N 沟道(双)非对称型  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  19A, 33A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1100pF @ 12V  
  FET 功能  逻辑电平栅极,4.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  25V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 BSG0813NDI
标准包装 5,000
其它名称 SP001241676

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