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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 155°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TISON-8
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	8.4nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	19A， 33A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 12V
FET 功能	逻辑电平栅极，4.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	25V
功率 - 最大值	2.5W
关键词

产品资料

数据列表	BSG0813NDI
标准包装	5,000
其它名称	SP001241676

封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TISON-8  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TISON-8  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TISON-8  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TISON-8   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 4.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 4.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Infineon Technologies FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A， 33A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A， 33A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A， 33A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A， 33A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 12V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 12V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 12V   FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，4.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 25V   功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 2.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.5W