BSL316CH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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BSL316CH6327XTSA1 - 

MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP

Infineon Technologies BSL316CH6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSL316CH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL316CH6327XTSA1CT-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSL316CH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TSOP6-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.6nC @ 5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  160 毫欧 @ 1.4A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道互补型  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.4A，1.5A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  282pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，4.5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 3.7μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 BSL316C
标准包装 1
其它名称 BSL316CH6327XTSA1CT

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