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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	OptiMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	PG-TSOP6-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	1.7nC @ 2.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.3A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	259pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平栅极，1.8V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	750mV @ 11μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	500mW
关键词

产品资料

数据列表	BSL806N
标准包装	3,000
其它名称	SP001101014

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Infineon Technologies 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TSOP6-6  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TSOP6-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TSOP6-6  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TSOP6-6   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.7nC @ 2.5V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.7nC @ 2.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.7nC @ 2.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.7nC @ 2.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 57 毫欧 @ 2.3A，2.5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 259pF @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 259pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 259pF @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 259pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 750mV @ 11μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 750mV @ 11μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 750mV @ 11μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 750mV @ 11μA   漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 500mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW