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BSO200P03SHXUMA1 - 

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

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Infineon Technologies BSO200P03SHXUMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSO200P03SHXUMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  54nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  20 毫欧 @ 9.1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.4A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2330pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  1.56W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSO200P03S H
标准包装 2,500
其它名称 BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850

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MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P

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MOSFET

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Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO Dry - Tape and Reel (Alt: BSO200P03SHXUMA1)

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Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A Automotive 8-Pin DSO T/R

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Infineon Technologies - BSO200P03SHXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8

型号：BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
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