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BSO200P03SNTMA1 - 

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SNTMA1TR-ND
描述：
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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BSO200P03SNTMA1 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO0
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BSO200P03SNTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-DSO-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  54nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  20 毫欧 @ 9.1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.4A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2330pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.5V @ 100μA  
  功率耗散（最大值）  1.56W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 26/Jul/2012
标准包装 2,500
其它名称 BSO200P03S
BSO200P03S-ND
BSO200P03SNT
BSO200P03ST
SP000014959

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BSO200P03S
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MOSFET P-Ch -30V -9.1A SO-8

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MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8

型号：BSO200P03SNTMA1
仓库库存编号：BSO200P03SNTMA1TR-ND
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