BSO303PNTMA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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BSO303PNTMA1 - 

MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BSO303PNTMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSO303PNTMA1
仓库库存编号：
BSO303PNTMA1TR-ND
描述：
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8.2A 2W Surface Mount P-DSO-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BSO303PNTMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  P-DSO-8  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  72.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  21 毫欧 @ 8.2A，10V  
  FET 类型  2 个 P 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  8.2A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1761pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 100μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
标准包装 2,500
其它名称 BSO303P
BSO303P-ND
BSO303PNT
BSO303PT
SP000012622

BSO303PNTMA1ROHS替代

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